【成果】华为公开“半导体结构的制备方法”专利；美国ITC正式对电子设备启动337调查；电子科技大学在光学国际顶级期刊发表研究成果

  【成果】华为公开“半导体结构的制备方法”专利；美国ITC正式对电子设备启动337调查；电子科技大学在光学国际顶级期刊发表研究成果

  集微网消息，天眼查显示，近日华为技术有限公司新增多条专利信息，其中一条名称为“半导体结构的制备方法”，公开号为CN117133653A。

  专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于降低欧姆接触电阻率并提升制备欧姆接触的一致性。半导体结构的制备方法有：在衬底上形成层叠设置的沟道层和势垒膜，并在势垒膜上刻蚀出源极凹槽和漏极凹槽，然后利用湿法刻蚀对源极凹槽和漏极凹槽的底部进行平坦化处理，以使源极凹槽和漏极凹槽的槽底平整，最后形成源极和漏极。其中，源极凹槽和漏极凹槽之间具有间隔，源极位于源极凹槽，漏极位于漏极凹槽，源极与势垒层欧姆接触，漏极与势垒层欧姆接触。

  华为指出，随着半导体科技的发展，具有热导率高、电子漂移速率高、耐高温、化学性质稳定的半导体器件，在高频、高温、微波领域具有广泛的应用前景。高功率半导体器件，例如氮化镓高电子迁移率晶体管器件，由于其特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场、高沟道电子浓度和高温度稳定性等优点，使得其具备更高的输出功率密度，因而被大范围的应用于射频/微波功率放大电路等集成电路中。为了更好的提高高功率半导体器件的总输出功率，通常通过降低欧姆接触电阻率来减小器件的导通电阻，进而提升器件在高功率下的工作效率。因此，如何减小欧姆接触电阻率并提升制备欧姆接触的一致性成为亟需解决的技术问题，为此华为提出了上述专利。

  集微网消息，中国贸易救济信息网消息显示，2023年11月30日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定具有视频功能的电子设备，包括计算机、流媒体设备、电视、相机及其组件和模块启动337调查。

  据悉，2023年10月31日，诺基亚向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国337条款（侵权美国注册专利号7,724,818、10,536,714、11,805,267、8,077,991、8,050,321），请求美国ITC发布有限排除令、禁止令。惠普、亚马逊为列名被告。

  此前消息显示，诺基亚在多个国家/地区法院起诉亚马逊公司，指控亚马逊没有经过授权在流媒体服务和设备中使用其技术。

  诺基亚高管Arvin Patel在公司的官方网站上的一份声明中指出，这些诉讼分别在美国、德国、印度、英国和欧洲统一专利法院提起。另外，公司在美国也因视频有关技术专利起诉了惠普。

  Patel表示：“提供视频流媒体服务或流媒体设备的公司从诺基亚的研究中获得了巨大利益。多年来，我们从始至终在与亚马逊、惠普进行谈判，但有时候，对那些选择不按别人遵守和尊重的规则行事的公司，诉讼是唯一的回应方式。”

  近日，电子科技大学集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）CME中心在光学领域国际顶级期刊、Nature子刊《Light: Science & Applications》上发表题为《A straightforward spectral emissivity estimating method based on constructing random rough surfaces》的学术论文。集电学院博士研究生张泽展为论文第一作者，集电学院姜晶研究员、牛夷副研究员和哈尔滨工程大学高山副教授为共同通讯作者，清华大学王超教授为共同作者，电子科技大学集成电路科学与工程学院为论文第一作者单位。该研究受到国家自然科学基金、四川省科技计划等项目的资助，是该期刊上首篇关于辐射传热中发射率的文章。

  光谱发射率是传热分析、红外伪装、非接触辐射测温、红外传感、遥感等科学和工程应用中的重要参数。获取准确清晰的发射率特性在以上领域很重要，然而固体表面的发射率并非恒定，它受到温度、表面成分、涂层、氧化等影响而动态变化。研究表明，两个固体表面即使具有相同的表面成分、温度和氧化程度，其光谱发射率仍可能并不一致，其中表面粗糙度的影响较大，但目前粗糙度对固体表面发射率的影响机理尚不清楚。CME中心提出基于构造二维随机粗糙表面的发射率计算方式，用以预测未知固体粗糙表面的发射率。该团队使用已知发射率的参考表面和目标表面的均方根高度Rq构造出二维随机粗糙表面，并基于构造的表面获取两个表面的粗糙度系数R，最终计算出未知粗糙表面的发射率。该方法能够方便地计算未知粗糙表面的光谱发射率，为获取粗糙表面光谱发射率开辟了新途径。

  《Light: Science & Applications》于2012年3月创刊，是由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所与中国光学学会共同主办、与Springer Nature合作出版的中国第一本完全同行评议、完全开放获取的英文国际光学期刊，在全球120种光学期刊中连续八年稳居前三。CME中心介绍：CME(Clean Energy Materials and Engineering Center) 中心成立于2012年，2021年入选“四川省科学技术创新团队”，带头人为姜晶研究员和王超教授。团队长期聚焦于复杂环境下在线监测技术及仪器研究，采取核心材料与元器件研发、仪器工程化研制并行的发展模式，重点解决高温高动态复杂环境中的非接触式光学在线温度监测难题。承担国家重大科研仪器研制项目、国家测试仪器工程产品替代研制项目、国家科技重大专项课题、国家自然科学基金区域创新发展联合基金、四川省科学技术创新团队等省部级以上项目20余项。（来源：电子科技大学）

  层状铁电半导体兼备原子级超薄与铁电性，为小尺寸逻辑和非易失性存储在存内计算技术中应用提供了理想路径。然而，由于铁电沟道场效应晶体管（FeCFETs）中存在铁电极子与电子重构耦合，无法继续沿用传统器件物理原理，使得FeCFETs中极化相关的电导调控机制变得难以精确控制。因此要实现高性能层状铁电半导体的先进逻辑和存储器件，就必须厘清铁电沟道极化与电导性物理关系这一根本问题。

  由本征斯塔克效应（内建电场）导致的非对称导电通路与栅极外场诱导的电势竞争形成的重分布决定了电子行为。研究验证，该机制在广泛的层状铁电体家族中的普适性。基于全新认知图谱，团队设计了经过控制导电沟道位置和氧化物厚度来精确控制双栅FeCFETs电导阈值的策略，并在不引入额外的浮栅堆栈或物理场前提下，实现了多种可根据需求无需外部电场而自行切换的存内（逻辑）计算（computing in memory）功能。基于FeCFETs的自切换存内逻辑明显提高了电路灵活性，降低了硬件设计成本，这在数字信号处理、自适应控制、机器视觉和人工智能等领域尤为重要。

  微电子学院教授周鹏、博士后王水源、北京邮电大学屈贺如歌为共同通讯作者，王水源、屈贺如歌和博士生邸紫烨为共同第一作者。本工作得到科技部重点研发计划、国家自然科学基金、信息光子学与光通信国家重点实验室、上海市科委、教委、教育部创新平台、中国博士后科学基金等项目的全力支持。